Description
MOSFET GATE NANO AAB :Caractéristiques : *Inclus dans le kit:-1NanoAAB.-1Kit supplémentaire de connecteurs Deans-T.-1Fil conducteur de signal unique pour les contacts de la gâchette.-1Fil conducteur de double signal pour les contacts de la gâchette.-Le NanoAAB est le tout dernier MOSFET de 3ème generation avec Active Brake.-Lapplication des transistors et du microcontrôleur les plus récents nous a permis de créer le MOSFET, avec Active Brake, le plus petit et le plus fiable du marché.-Grâce à son revêtement special, il est résistant aux conditions atmosphériques.*FONCTIONS :*MOSFET :-Vous souhaitez obtenir une meilleure cadence de tir et une réaction plus rapide de la gâchette -Vous envisagez daugmenter la puissance de votre fusil ?-Dans ce cas, vous avez besoin dun MOSFET.-Il oriente lénergie de la batterie directement vers le moteur, en neutralisant les contacts mécaniques de la gâchette.-Par conséquent, vous obtiendrez une meilleure cadence de tir du fusil et une réaction plus rapide de la gâchette, et les contacts seront protégés contre les brûlures.*ACTIVE BRAKE :-Vous vous souciez du réalisme ? Vous aimeriez augmenter la durée de vie du GB ? La cadence de tir de votre fusil est si élevée que vous nêtes pas capable deffectuer un seul tir ?-Active Brake arrangera les choses.-En mode SEMI, Active Brake empêchera la compression du piston après un tir.-Le piston sarrêtera en position avant, ce qui permettra déliminer les contraintes inutiles tout en augmentant la vie utile du GB et de ses composants.-Cest très important, en particulier avec une mise à niveau de la puissance de lAEG.-Après avoir relâché la gâchette, le fusil sarrête automatiquement de tirer.-Ainsi, vous gagnerez davantage de réalisme et, de plus, ne perdrez pas vos précieuses BBs.*FUSIBLE ÉLECTRONIQUE :-Nous savons à quel point la fiabilité est sur le champ de bataille.-Voilà pourquoi notre nouveau MOSFET a une protection thermique.-En tandem avec un fusible temporisé, il protège parfaitement votre installation AEG.*ANTI-REBOND :-Cette option offre une compatibilité totale avec les micro-interrupteurs.-Il assure la pleine résistance au rebond de contact (vibrations).-Vous gagnez un plus grand ROF, une réponse de déclenchement plus rapide et votre MOSFET est moins assujetti à la surchauffe.*MOSFET DE 3ème GÉNÉRATION : -Lutilisation des transistors et du microcontrôleur les plus modernes nous a permis de créer le MOSFET le plus petit et le plus fiable du marché.Fabriqué en Europe. Normal 0 21 false false false FR X-NONE X-NONE /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name: »Tableau Normal »; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-priority:99; mso-style-parent: » »; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso-para-margin-top:0cm; mso-para-margin-right:0cm; mso-para-margin-bottom:10.0pt; mso-para-margin-left:0cm; line-height:115%; mso-pagination:widow-orphan; font-size:11.0pt; font-family: »Calibri », »sans-serif »; mso-ascii-font-family:Calibri; mso-ascii-theme-font:minor-latin; mso-hansi-font-family:Calibri; mso-hansi-theme-font:minor-latin; mso-fareast-language:EN-US;}


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